Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSR2N3636UB
PNP TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSR2N3636
JANSR2N3636UB Hakkında
JANSR2N3636UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu komponent, 175V collector-emitter breakdown voltajına ve 1.5W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. DC current gain değeri 10V, 50mA şartlarında minimum 50'dir. Vce saturation voltajı 5mA base akımı ve 50mA collector akımında 600mV'tur. -65°C ile +200°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve genel amaçlı PNP transistör gerektiren low-power elektronik tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok