Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSR2N3634L
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AA
- Seri / Aile Numarası
- JANSR2N3634L
JANSR2N3634L Hakkında
JANSR2N3634L, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-5 metal kaplama pakette sunulmaktadır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığına sahip bu bileşen, 140V maksimum Vce(BR) darbeye dayanıklılığı ve 1W maksimum güç dissipasyonu özellikleriyle endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. DC current gain (hFE) değeri 50mA, 10V koşullarında minimum 50 değerini sağlamakta, 600mV saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel devre kartlarına kolayca entegre edilebilen bu transistör, darbe amplifikasyonu, anahtarlama devreler ve sürücü uygulamalarında kullanım alanı bulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-5 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok