Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANSR2N3440U4/TR

TRANSISTOR RH POWER BJT

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
JANSR2N3440U

JANSR2N3440U4/TR Hakkında

JANSR2N3440U4/TR, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek güç NPN BJT transistörüdür. Surface mount 3-SMD paket ile sunulan bu bileşen, 1A collector akımı ve 250V collector-emitter breakdown voltajı ile çeşitli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç yeteneği ile güç amplifikatörleri, anahtar devreleri, ses sürücüleri ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -65°C ile 200°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun radyasyon sertifikalı bir komponenttir. 40 minimum DC akım kazanç (hFE @ 20mA, 10V) ve 500mV maksimum Vce saturation voltajı ile verimli anahtar işlemi gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package U4
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok