Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSR2N3440U4
TRANSISTOR RH POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSR2N3440
JANSR2N3440U4 Hakkında
JANSR2N3440U4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, radyasyon sertifikasyonlu endüstri standardı ürün serisine aittir. Maksimum 250V Vce Breakdown voltajı, 1A kolektör akımı ve 800mW güç kapasitesiyle orta güç seviyesi uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Vce Saturation voltajı 500mV (4mA Ib, 50mA Ic) ile iyi anahtarlama özellikleri sunmaktadır. -65°C ile 200°C (junction) arasında çalışabilen bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve driver uygulamalarında tercih edilir. SMD paketlemesi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, aktif ürün statüsüyle uzun vadeli tedarik güvencesi sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok