Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSR2N3439UA/TR
TRANSISTOR RH POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSR2N3439
JANSR2N3439UA/TR Hakkında
JANSR2N3439UA/TR, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistörüdür. 350V collector-emitter breakdown voltajı ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu komponent, 800mW maksimum güç dağıtımına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 20mA, 10V'ta minimum 40 değerinde belirtilmiştir. 500mV satürasyon voltajı ile düşük ön kapanış kaybı sağlayan transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) güvenilir performans sunar. Surface mount 4-SMD paket içinde teslim edilen bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, power management sistemleri ve RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | UA |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok