Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSR2N3439UA
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSR2N3439
JANSR2N3439UA Hakkında
JANSR2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 4-SMD No Lead paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector-emitter breakdown voltajı 350V, maksimum güç dağıtımı 800mW olarak belirtilmiştir. 40 (min) DC current gain (hFE) ile 20mA collector akımında ve 10V VCE de çalışır. Maksimum saturation voltajı 500mV (4mA tabanında, 50mA collector akımında) olup, -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 2µA maksimum collector cutoff akımı ile düşük sızıntı akımı özelliği taşır. Yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sinyal amplifikasyon işlevlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | UA |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok