Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANSR2N3019

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-205AA
Seri / Aile Numarası
2N3019

JANSR2N3019 Hakkında

JANSR2N3019, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montajı ile TO-5 metal kasa paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A collector akımı, 80V collector-emitter breakdwon voltajı ve 800mW güç yönetme kapasitesine sahip olan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 500mA ve 10V değerlerinde minimum 50 olup, saturation voltajı 500mV'tur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda tercih edilir. Kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve düşük-orta güç anahtarlaması gibi alanlarda yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-5
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok