Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANSR2N2907AL

PNP TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
2N2907A

JANSR2N2907AL Hakkında

JANSR2N2907AL, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, güvenilirlik ve stabilite gerektiren uygulamalara yönelik tasarlanmıştır. Maksimum 500mW güç dağıtımı, 60V VCE(BR)O breakdown voltajı ve 100 minimum DC current gain (hFE) ile karakterize edilir. -65°C ile 200°C arasında geniş işletme sıcaklığı aralığında çalışır. TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, düşük sinyalli uygulamalarda ve genel amaçlı PNP çıkıştı gereken tasarımlarda kullanılır. Collector cutoff akımı maksimum 50nA olup, düşük sızıntı özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 nA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok