Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSR2N2906AUB/TR
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N2906
JANSR2N2906AUB/TR Hakkında
JANSR2N2906AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal BJT transistörüdür. 4-SMD no-lead paket ile yüzey montajı uygulamaları için tasarlanmıştır. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mW güç dağıtım kapasitesi ile orta seviye güç uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 150mA'da ve 10V'ta minimum 40 değerine sahiptir. -65°C ile +200°C arasında çalışan bu transistör, sınıf H radyasyon sertifikasına (JANSR) sahip olup, anahtarlama devreleri, amplifikasyon, sinyal işleme ve genel amaçlı transistor uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok