Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANSR2N2369AUB/TR

TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
JANSR2N2369

JANSR2N2369AUB/TR Hakkında

JANSR2N2369AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi küçük sinyal bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount (SMD) paketinde sunulan bu transistör, radyasyon sertifikalı (RH - Radiation Hardened) uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 400 mW maksimum güç yeteneği ile sınırlı power uygulamaları için uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile +200°C) sayesinde ekstrem ortam koşullarında güvenilir performans sağlar. 15V maksimum collector-emitter gerilimi ve 20 (minimum) DC akım kazancı ile amplifikasyon ve switching uygulamalarında kullanılabilir. Radyasyon toleranslı tasarımı nedeniyle uzay ve havacılık endüstrilerinde tercih edilen bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Cutoff (Max) 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 1V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 400 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok