Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANSP2N3636UB

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
JANSP2N3636

JANSP2N3636UB Hakkında

JANSP2N3636UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipinde bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 175V Vce(Br) desleme gerilimi ve 1.5W maksimum güç dissipasyonu ile orta seviye uygulamalarda kullanılır. DC current gain (hFE) minimum 50 değeri ile 50mA kolektör akımında belirtilmiştir. 600mV maksimum saturation voltajı ile düşük geçiş kaybına sahiptir. Anahtarlama, amplifikasyon ve sinyallenme uygulamalarında, özellikle endüstriyel kontrol devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde yer bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1.5 W
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 175 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok