Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSP2N3501UB/TR
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3501
JANSP2N3501UB/TR Hakkında
JANSP2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal bipolar junction transistöründür (BJT). Surface mount paketlemesi ile 3-SMD No Lead konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150V Vce(br) dağılma voltajı ve 300mA maksimum kolektör akımı kapasitesi ile kontrol devrelerinde, RF amplifikatörlerinde ve genel sinyal işleme uygulamalarında çalışabilir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 500mW maksimum dissipasyon gücü ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile tasarımlanmıştır. RoHS uyumlu Military specification transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok