Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSP2N3439UA
TRANSISTOR RH POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3439
JANSP2N3439UA Hakkında
JANSP2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 350V collector-emitter breakdown voltajı ile güç amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 1A maksimum collector akımı ve 800mW güç kapasitesi sayesinde endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç kaynağı ve sinyal işleme uygulamalarında yer alır. Surface mount 4-SMD, No Lead pakajında sunulan bileşen, -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 40 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | UA |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok