Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSP2N2369AUB/TR
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSP2N2369
JANSP2N2369AUB/TR Hakkında
JANSP2N2369AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen radyasyon sertifikalı (RH - Radiation Hardened) NPN tipi küçük sinyal BJT transistörüdür. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 400mW maksimum güç dissipasyonu, 20V maksimum Vce(br) ve 450mV satürasyon voltajı ile karakterize edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 40 değerinde belirtilmiştir. Düşük collector cutoff akımı (400nA max) sayesinde düşük güç tüketimli uygulamalarda tercih edilir. Uzay, savunma ve radyasyon ortamlarında çalışacak analog sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılan endüstriyel sınıf bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 400nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok