Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSM2N3636UB/TR
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3636
JANSM2N3636UB/TR Hakkında
JANSM2N3636UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SMD 4-pin paketinde sunulmaktadır. 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.5W maksimum güç derecelendirmesi ile orta ila yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 50 değerinde olup, 10µA maksimum collector cutoff akımı ile düşük sızıntı özellikleri gösterir. 600mV VCE(sat) değeri ile doyma bölgesinde işletim karakteristikleri tanımlanmıştır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında homojen performans sunar. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı BJT kullanılan tasarımlarda tercih edilir. Active status ile güncel tedarik imkanı mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok