Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSM2N3501UB/TR
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3501
JANSM2N3501UB/TR Hakkında
JANSM2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SMD paket tipinde sunulan bu transistör, maksimum 300 mA kolektör akımı, 150 V kolektör-emitter gerilimi ve 500 mW güç seviyesinde çalışır. DC akım kazancı (hFE) 100'ün üzerindedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile +200°C arası) stabil performans sunmaktadır. Radyasyona dayanıklı özelliği (RH versiyonu) sayesinde havacılık, uzay ve askeri uygulamalarda kullanılmaktadır. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve sinyal işleme sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok