Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSL2N3634UB
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3634
JANSL2N3634UB Hakkında
JANSL2N3634UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek güvenilirlik gerektiren askeri ve uzay uygulamaları için tasarlanmıştır. Surface mount UB paket içinde sunulan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 1W güç tüketimi, 140V collector-emitter breakdown voltajı ve 600mV saturation voltajı ile düşük sinyaller ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. DC current gain (hFE) 50 @50mA/10V olup, gücü sınırlı uygulamalarda transistör kontrol ve anahtarlama işlevlerinde yer alır. Dar işletim koşulları ve hassas uygulamalar için tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok