Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSL2N3439UA
TRANSISTOR RH POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3439
JANSL2N3439UA Hakkında
JANSL2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistördür. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu transistör, 1A maximum collector akımı ve 350V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 40'dır (20mA, 10V'ta). Düşük saturation voltajı (500mV @ 50mA) sayesinde anahtar uygulamalarında etkin bir şekilde çalışır. Analog amplifikasyon, güç anahtarlama ve genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | UA |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok