Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANSF2N5154U3

TRANSISTOR RH POWER BJT

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
2N5154

JANSF2N5154U3 Hakkında

JANSF2N5154U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek güvenilirlik ve radyasyon toleransı için tasarlanmıştır. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A collector akımı, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı tasarımı sayesinde, endüstriyel, havacılık ve uzay uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain (hFE) değeri 2.5A akımda 70'dir. Düşük saturasyon voltajı (1.5V @ 500mA) ile verimli anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package U3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok