Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSF2N3700
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N3700
JANSF2N3700 Hakkında
JANSF2N3700, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistor (BJT) olup, TO-18 metal kaplı through-hole paketinde sunulmaktadır. 80V collector-emitter breakdown voltajı, 500mW maksimum güç dissipasyonu ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 10nA collector cutoff akımı ve 500mV saturation voltajı ile düşük kaçak akıma ve etkili açık-kapalı modülasyonuna sahiptir. Analog sinyal işleme, low-frequency amplifier devreleri ve kontrol sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok