Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANSF2N2907AUB

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
2N2907

JANSF2N2907AUB Hakkında

JANSF2N2907AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount 3-SMD paketinde sunulmaktadır. Maksimum 500mW güç tüketimiyle, 100 V/A minimum DC akım kazancı ve 60V yıkılma gerilimi özelliklerine sahiptir. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletim sunar. Vce doyum gerilimi maksimum 1.6V (50mA/500mA koşullarında) olup, düşük seviye sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Collector cutoff akımı 50nA'nın altında kalması, düşük sızıntı akımı gerektiren hassas devreler için uygun kılmaktadır. Endüstriyel ve askeri sertifikasyon gereksinimleri olan uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 nA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package 3-SMD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok