Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSF2N2907A
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N2907
JANSF2N2907A Hakkında
JANSF2N2907A, Microchip Technology tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistor (BJT) olup, Through Hole montajlı TO-18 metal kaplı pakette sunulmaktadır. Bu transistör, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerinde (150mA akımda, 10V'da) belirtilmiştir. Sürüleme uygulamalarında, ses frekansı amplifikasyonunda ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılan orta güç transistörüdür. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ile +200°C arası) sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok