Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSD2N3700UB/TR
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSD2N3700
JANSD2N3700UB/TR Hakkında
JANSD2N3700UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi small-signal bipolar junction transistör (BJT) komponenttir. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A collector akımı ve 500mW güç tüketimi özellikleriyle endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 100 minimum DC current gain değerleriyle sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, bu bileşeni uzay ve askeri uygulamalar dahil olmak üzere çeşitli ortamlarda kullanılmasını mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok