Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSD2N3636UB
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSD2N3636
JANSD2N3636UB Hakkında
JANSD2N3636UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tip bipolar transistördür. Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamalarından orta güç seviyesi devrelerine kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir. -65°C ile +200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 1.5W güç sınırlaması ve 175V Vce(BR) diyagonal çıkış ile güvenilir performans sağlar. Anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal yönetimi uygulamalarında tercih edilir. DC Current Gain (hFE) minimum 50 değeri ile belirlenmiş olup, 50mA collector akımında 10V Vce'de ölçülmüştür. Vce doyum voltajı 600mV'tir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok