Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSD2N3636L
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AA
- Seri / Aile Numarası
- JANSD2N3636L
JANSD2N3636L Hakkında
JANSD2N3636L, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, through-hole montaj için TO-205AA (TO-5-3) metal kasa paketine sahiptir. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 175V Collector-Emitter breakdown voltajı, 600mV saturasyon voltajı (5mA/50mA) ve minimum 50 DC akım kazancı (hFE) ile karakterizedir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Kurulum sonrası endüstri uygulamaları, sinyel anahtarlama ve düşük güçlü amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-5 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok