Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSD2N3501UB/TR
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSD2N3501
JANSD2N3501UB/TR Hakkında
JANSD2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal silikon bipolar junction transistördür. Surface mount 3-SMD gövdede paketlenmiş bu bileşen, 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 300mA kolektör akımı, 150V kolektör-emitör bozulma gerilimi ve -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile tanımlanır. 150mA, 10V koşullarında minimum 100 DC akım kazancı (hFE) sağlar. Satürasyonda 400mV maksimum VCE değeri ile karakterize edilir. Anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu, darbe şekillendirme ve düşük güçlü lojik devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok