Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSD2N3439UA
TRANSISTOR RH POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3439
JANSD2N3439UA Hakkında
JANSD2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistöründür. Surface mount (SMD) paketinde sunulan bu bileşen, 1A maximum collector akımı, 40 minimum DC current gain (hFE) ve 350V collector-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 800mW güç sınırlaması ile düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Gerilim düzenleyicileri, anahtarlama devreleri, amplifikatör uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Darbe yüklemeli uygulamalara uygun karakteristiklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | UA |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok