Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSD2N2369AUB/TR
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSD2N2369
JANSD2N2369AUB/TR Hakkında
JANSD2N2369AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen radyasyon sertifikalı (RH - Radiation Hardened) NPN bipolar junction transistördür. Küçük sinyal uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 20V maksimum Vce breakdown voltajı, 400mW güç tüketimi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) ile karakterizedir. DC akım kazancı (hFE) 40 (minimum) olup, 10mA kolektör akımında ve 1V Vce'de ölçülmüştür. 450mV maksimum saturasyon voltajı ile düşük sinyal kaybı sağlar. Surface mount 3-SMD (No Lead) paketinde sunulan bu transistör, silikon tabanlı devrelerde switch, amplifikatör ve darbe şekillendirme uygulamalarında kullanılır. Radyasyon toleranslı yapısı, uzay ve askeri uygulamalar için uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 400nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok