Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANS2N5666S
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5666
JANS2N5666S Hakkında
JANS2N5666S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj tipi ile kalıcı devre tasarımlarında kullanılır. 200V kollektör-emitter diyelectric gerilimi, 1.2W maksimum güç disipasyonu ve -65°C ile 200°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun tasarımlanmıştır. TO-39 metal kasa paketi, güvenilir ısıl yönetimi sağlar. 40 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1V doyum gerilimi, güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanım için uygun parametreler sunar. Uydu, harita, tıbbi ve otomasyon elektronikleri gibi hassas uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.2 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok