Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANS2N5416UA/TR
TRANSISTOR POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5416
JANS2N5416UA/TR Hakkında
JANS2N5416UA/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi güç transistörüdür. Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu transistör, 1A maksimum collector akımı ve 750mW güç disipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır. 300V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain değeri 50mA collector akımında 10V Vce'de 30 olarak belirtilmiştir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. Düşük Vce saturation voltajı (2V @ 5mA, 50mA) ile verimli anahtar görevi görebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | UA |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok