Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANS2N5339

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
JANS2N5339

JANS2N5339 Hakkında

JANS2N5339, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal can paketinde sunulan bu transistör, 100V Vce breakdown voltage ve 1W maksimum güç yayma kapasitesi ile karakterize edilir. 60 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir ve -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 1.2V maksimum Vce saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. Sinyal amplifikasyon, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı BJT uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimlenebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 2V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok