Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANS2N3637UB/TR
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3637
JANS2N3637UB/TR Hakkında
JANS2N3637UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür. Surface mount SMD paket ile sunulan bu bileşen, 1A maksimum collector akımı ve 175V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100 minimum DC current gain (hFE), 600mV saturasyon voltajı ve 1.5W maksimum güç derecelendirmesi ile analog sinyallerin amplifikasyonu, anahtarlama ve ses devrelerinde uygulanabilir. -65°C ile 200°C geniş sıcaklık aralığında çalışan bu transistör, endüstriyel ve askeri grade uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok