Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANS2N3637UB
TRANS PNP 175V 1A
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3637
JANS2N3637UB Hakkında
JANS2N3637UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 1.5W güç dağıtımına kapadir. Surface mount UB paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 50mA collector akımında 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile genel sinyal işleme, ses amplifikasyonu ve güç kontrol devrelerinde tercih edilir. 600mV saturasyon voltajı sayesinde düşük güç kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok