Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANS2N3637
TRANS PNP 175V 1A TO-39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3637
JANS2N3637 Hakkında
JANS2N3637, Microchip Technology tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistor (BJT) bileşenidir. TO-39 metal kasa paketinde sunulan bu transistör, maksimum 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 1W güç dissipasyonuna sahip olup, -65°C ile 200°C arasında geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 50mA akımda 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile güçlendirme uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Amaçlı (JANS) seviye standardı ile askeri ve havacılık endüstrisine yönelik geliştirilmiş versiyondur. Düşük collector-emitter doyum voltajı (600mV @ 50mA) sayesinde verimli anahtar görevi görebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok