Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANS2N3439UA
TRANS NPN 350V 1A UA
JANS2N3439UA Hakkında
JANS2N3439UA, WEC tarafından üretilen high voltage NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 350V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum kollektör akımı özelliklerine sahiptir. Surface Mount UA (4-SMD, No Lead) paket ile sunulan bu transistör, -65°C ile +200°C arasında çalışabilir ve 800mW güç yeteneğine sahiptir. 40 minimum DC current gain (hFE) ile düşük sinyallerin amplifikasyonunda ve switching uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Yüksek voltaj toleransı sayesinde endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve RF amplifikatör tasarımlarında tercih edilir. JANS versiyonu askeri ve havacılık standartlarına uygun kalitede sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | UA |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok