Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JANS1N5809
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- JANS1N5809
JANS1N5809 Hakkında
JANS1N5809, Microchip Technology tarafından üretilen 100V/3A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotudur. Axial kasa tipinde Through Hole montajına uygun olan bu diyot, 30 ns reverse recovery time ile fast recovery karakteristiğine sahiptir. -65°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 875 mV forward voltage ve 5 µA reverse leakage current özellikleri ile güç kaynakları, adaptörler, inverter devreleri ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. Standart diyot tasarımı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | B, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok