Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANKCDR2N5154
TRANSISTOR RH POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- JANKCDR2N5154
JANKCDR2N5154 Hakkında
JANKCDR2N5154, Microchip Technology tarafından üretilen RH Power NPN bipolar junction transistörlü (BJT) bir üretim komponentidir. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, 2A'ya kadar maksimum kolektör akımı ve 80V kolektör-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. Maksimum 1W güç derecelemesine sahip olan komponent, -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 70 minimum DC akım kazancı (hFE), 1.5V saturasyon voltajı ve 50µA maksimum kolektör kesim akımı özellikleriyle, güç yönetimi, anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj türü sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2.5A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok