Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANKCDR2N5152
TRANSISTOR RH POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- JANKCDR2N5152
JANKCDR2N5152 Hakkında
JANKCDR2N5152, Microchip Technology tarafından üretilen TO-39 metal kutu paketinde yüksek sıcaklık uyumlu NPN bipolar junction transistörüdür. 2A maksimum kolektör akımı, 1W güç yeteneği ve -65°C ile 200°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve havacılık uygulamalarında kullanılır. 80V maksimum Vce breakdown voltajı ile orta-güç anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için tasarlanmıştır. TO-205AD (TO-39-3) paketage sahip olan komponent, güvenilir through-hole montajını destekler ve uzun ömürlü uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2.5A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok