Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANKCBR2N5004

BJT TRANSISTOR

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
JANKCBR2N5004

JANKCBR2N5004 Hakkında

JANKCBR2N5004, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, stud mount paketinde sunulmaktadır. Maksimum 2W güç harcaması ile düşük güç uygulamalarında kullanıma elverişlidir. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ortamlarda ve geniş sıcaklık koşullarında çalışabilen bir bileşendir. 70 minimum DC current gain (hFE) ve 1.5V saturation voltajı ile anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve düşük frekanslı devre tasarımlarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type Stud Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok