Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANKCBR2N3700
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- JANKCBR2N3700
JANKCBR2N3700 Hakkında
JANKCBR2N3700, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tip küçük sinyal bipolar junction transistörüdür. TO-18 metal kotta sunulan bu komponent, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile çalışabilir. 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile güç amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışır. 100 minimum DC akım kazancı (hFE), 500mV maksimum doyum gerilimi ve 10nA maksimum collector kesim akımı ile düşük sızıntı karakteristiğine sahiptir. Bu transistör, radyasyon sertifikasyon için optimize edilmiş JAN sınıfı bileşen olarak kritik uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok