Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANKCBR2N3440
TRANSISTOR RH POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- JANKCBR2N3440
JANKCBR2N3440 Hakkında
JANKCBR2N3440, Microchip Technology tarafından üretilen radyasyon sertifikasyonlu (RH - Radiation Hardened) NPN bipolar junction transistördür. TO-39 metal kapa paketinde sunulan bu komponent, düşük sinyal uygulamalarından orta güç seviyesi devrelerine kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir. Maksimum 1A kolektör akımı, 250V kırılma gerilimi ve 800mW güç dağıtabilme kapasitesi ile analog anahtarlama, sinyal amplifikasyonu, darbe şekillendirme ve güç kontrolü uygulamalarında çalıştırılabilir. -55°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında işletilmesi, özellikle uzay ve radyasyon ortamlarında kullanım için uygun kılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok