Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANKCBR2N2907A
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N2907
JANKCBR2N2907A Hakkında
JANKCBR2N2907A, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi small-signal bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-18 metal can paketinde sunulmaktadır. Maksimum 600 mA kolektör akımı, 500 mW güç dağıtımı ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile karakterize edilir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 60V kolektör-emitter gerilim yıkılması değerleri, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Low-noise preamplifier, genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok