Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANKCBR2N2906A

TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
2N2906A

JANKCBR2N2906A Hakkında

JANKCBR2N2906A, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal bipolar junction transistörlüdür (BJT). TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu komponent, maksimum 600mA kolektör akımı ve 60V kırılma gerilimi ile karakterizedir. 500mW güç kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 40 (150mA, 10V koşullarında) olup, düşük kesme akımı (50nA) ve kontrollü doyum gerilimi (1.6V @ 50mA, 500mA) özellikleriyle ses frekansı ve RF amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Through hole montaj tipi ile eski nesil tasarımlar ve prototipleme çalışmalarında sıkça görülür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-18
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok