Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANKCB2N5004
BJT TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- JANKCB2N5004
JANKCB2N5004 Hakkında
JANKCB2N5004, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, stud mount paketinde sunulmaktadır. Die form faktörlü bu transistör, maximum 2W güç disipasyonuna ve -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 50µA collector cutoff akımı, 5A collector akımında 70 minimum DC current gain (hFE) ve 80V breakdown voltajı özellikleriyle avionic ve askeri uygulamalar için tasarlanmıştır. 1.5V maksimum saturation voltajı ile düşük güç kayıplı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2.5A, 5V |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok