Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANKCB2N5002

BJT TRANSISTOR

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
JANKCB2N5002

JANKCB2N5002 Hakkında

JANKCB2N5002, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Stud mount paketinde sunulan bu transistör, 50µA maksimum collector akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. -65°C ile 200°C (TJ) arasında işletim sıcaklığında kullanılabilir. 2W maksimum güç dissipasyon kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) değeri 2.5A collector akımında ve 5V Vce'de minimum 30'dur. Vce saturation voltajı, 500mA base akımında ve 5A collector akımında 1.5V'dir. Bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, güç kontrol devreleri ve sürücü konfigürasyonlarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2.5A, 5V
Mounting Type Stud Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok