Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANHCB2N5004

BJT TRANSISTOR

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
2N5004

JANHCB2N5004 Hakkında

JANHCB2N5004, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, stud mount konfigürasyonunda sunulmaktadır. Bu transistör, maksimum 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 5A collector akımı ile çalışabilir. 2W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmış olup, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) işletilmeye uygundur. DC current gain (hFE) değeri 2.5A, 5V koşullarında minimum 70 olup, 1.5V saturation voltajı ile low-level switching uygulamalarında kullanılabilir. Kollektör kesim akımı maksimum 50µA ile sınırlandırılmıştır. High Reliability (JANHC) versiyonu olması nedeniyle askeri ve havacılık uygulamalarında tercih edilir. Güç amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Mounting Type Stud Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok