Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANHCB2N5002

BJT TRANSISTOR

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
JANHCB2N5002

JANHCB2N5002 Hakkında

JANHCB2N5002, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistöründür (BJT). Stud mount paketlemesi ile sağlanan bu transistör, düşük akım uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 2W güç yönetimi kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde, endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanıma uygundur. 80V Vce(br) (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ve 30 minimum DC akım kazancı (hFE), kontrollü anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu gerektiren uygulamalara olanak sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2.5A, 5V
Mounting Type Stud Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok