Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANHCB2N3439
TRANSISTOR POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3439
JANHCB2N3439 Hakkında
JANHCB2N3439, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir güç transistörüdür. TO-39 metal kaplı DIP paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mW güç disipasyonu kapasitesiyle, 1A'e kadar collector akımını kontrol edebilir. -55°C ile +200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, analog ve dijital devre uygulamalarında, sesli amplifikatörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Minimum 40 DC current gain (hFE) ile kararlı amplifikasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok