Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANHCB2N2906A
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N2906
JANHCB2N2906A Hakkında
JANHCB2N2906A, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür. TO-18 metal can paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 600mA collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. DC current gain (hFE) değeri 150mA collector akımında ve 10V Vce'de minimum 40'tır. 500mW maksimum güç tüketimi ve -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı desteği, geniş uygulama alanı sağlar. Amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal yönetimi uygulamalarında kullanılan bu transistör, elektronik cihazlarda yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. Through hole montaj özelliği, manuel ve oto montaj proseslerine uygunluğu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok