Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JAN2N718A

TRANS NPN 30V 0.5A

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
2N718A

JAN2N718A Hakkında

JAN2N718A, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 30V kolektör-emitter voltaj sınırlaması ile 500mA maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 500mW güç dağıtımı ile analog amplifikasyon devrelerinde, darbe şekillendirmede ve düşük frekanslı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. TO-18 metal kasa ile montajlı olan bileşen, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ~ 200°C) güvenilir performans sağlar. 40 minimum DC akım kazancı (hFE), 1.5V maksimum doyum voltajı ve 10µA maksimum sızıntı akımı (ICBO) parametreleri ile belirtilmiştir. Through-hole montaj türüne sahip olan komponent Digi-Key'de artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Market
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok